当社は、三次元構造のSurrounding Gate Transistor（SGT）という革新的な新技術の研究・開発により半導体に新時代を築くことを目的に設立。当プロジェクトは、舛岡富士雄自身が最高技術責任者（CTO）として研究・開発を主導する。
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| 仕事の内容 |
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SGTの研究開発。半導体デバイスの計算機シミュレーションでSGTの高速・高集積化が可能となる基本構造を決定し、その基本構造をもとにSGT単体から集積回路までの製造試作、評価を行う。その間、多数のSGT関連特許を確立する。従来のMOS半導体・集積回路の開発技術者の活躍の場が極めて大。
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対象者
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（１）“半導体デバイスの構造と動作原理など半導体物理学の基礎を理解”
しており、MOSトランジスタの研究開発に下記いずれか1つ以上の経験がある方。
ⅰ）MOSトランジスタの研究開発経験がある方。
ⅱ）MOSトランジスタのシミュレーション経験のある方。
ⅲ）集積回路のデバイスシミュレーション経験のある方。
ⅳ）MOSトランジスタのプロセス経験のある方。
ⅴ）MOSトランジスタのプロセスシミュレーション経験のある方。
ⅵ）集積回路のプロセスシミュレーション経験のある方。
ⅶ）集積回路の回路シミュレーション経験がある方。
ⅷ）半導体メモリの開発経験のある方。
（２）上記分野を専攻され修士又は博士の資格を有する者は、特に歓迎。
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勤務地
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東京都中央区新川１－２２－１１フジライト新川ビル２F
【交通手段】 日比谷線・東西線茅場町駅４b番出口徒歩5分
半蔵門線水天宮前駅２番出口徒歩１０分
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勤務時間
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９：３０から１８：３０（フレックスタイム制導入）
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給与・待遇
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基本的に前給保証。年俸７５０～１５００万円（経験、能力を評価）
年俸例：（モデル賃金）経験８年／３０歳／年俸１０００万円
交通費全額支給
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福利厚生
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社会保険完備 生活習慣病検診実施（配偶者を含む）（年一回）
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休日・休暇
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土曜日、日曜日（完全週休２日制）、祝祭日及び会社の定める日
年間２０日の有給休暇あり
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