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三次元構造半導体で世界を変えよう!
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  日本ユニサンティス
  エレクトロニクス株式会社
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会社名: 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社                                 
設立:    2004年7月

基本理念

“三次元構造半導体<SGT>で世界を変えよう”

会社概要

当社は、三次元構造のSurrounding Gate Transistor(SGT)という革新的な新技術の研究・開発遂行のため、フラッシュメモリの発明者、舛岡富士雄を最高技術責任者(CTO)として国際的グループ"NewScopeグループ"により設立された。

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マネージメントチーム

代表取締役会長 沼田 準二

代表取締役社長 福田 欣一

                               他  

最高技術責任者 舛岡富士雄

フラッシュメモリの発明者 東北大学名誉教授
フラッシュメモリがない世界を想像できるか?フラッシュメモリがなければ現代社会における様々な分野での携帯性と利便性のある高性能な機器もサービスも存在し得ない。社会生活に身近な携帯電話、デジタルカメラ、MP3プレーヤなど数限りない電子機器の携帯性、利便性はフラッシュメモリなしには有り得ない。次は、SGT(3次元構造半導体)で世界を変える。
舛岡富士雄教授

舛岡富士雄は、フラッシュメモリの発明者として世界的に著名。フラッシュメモリ、DRAM、SRAM等を含む半導体メモリのあらゆる分野の研究開発にキャリアの大半を費やす。また、イメージセンサデバイス(CCD等)及び高速半導体ロジックの研究においても豊富な経験をもつ第一人者。

IEEEのfellow会員。電子情報通信学会員。現在、東北大学電気通信研究所名誉教授。

経歴

1966(昭和41)年 東北大学工学部電子工学科卒業
1971(昭和46)年 同大学大学院博士課程了
1971(昭和46)年 株式会社東芝入社
1994(平成 6) 年 東北大学教授として就任
2005(平成17)年 日本ユニサンティス株式会社最高技術責任者に就任
2007(平成19)年 東北大学名誉教授


受賞歴

1977(昭和52)年 第1回渡辺賞受賞
1980(昭和55)年 全国発明表彰発明賞
1985(昭和60)年 関東地方発明表彰発明奨励賞
1986(昭和61)年 関東地方発明表彰発明奨励賞
1988(昭和63)年 二度の関東地方発明表彰発明奨励賞
1991(平成 3) 年 関東地方発明表彰発明奨励賞
1995(平成 7) 年 IEEEフェロー
1997(平成 9) 年 IEEE Morris N.Liebmann Memorial Award受賞
2000(平成12)年 第32回市村産業賞本賞受賞
2002(平成14)年 2002年SSDM Award受賞
2005(平成17)年 Economist Innovation Award授賞
2007(平成19)年 紫綬褒章受章
2009(平成21)年 IEEE「25 MICROCHIPS THAT SHOOK THE WORLD」にフラッシュメモリを選出
2010(平成22)年 コンピューターヒストリーミュージアム 殿堂入り
2011(平成23)年 全米家電協会(CEA) 殿堂入り

 

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