SGT（＝Surrounding Gate Transistor）は、ソース，ゲート，ドレイン電極が垂直に配置され，ゲート電極がシリコン柱を取り囲む構造をしたトランジスタである。現在、広く用いられているプレナー型MOSトランジスタは、ソース、ゲート、ドレインが平面に位置しているために、大きな占有面積を必要とするのに対して、SGTはシリコン柱の周囲を囲むゲートと、シリコン柱の上下のソースとドレインで構成される。立体型にすることにより、シリコン表面に専有する面積を画期的に極小化できる。
これまでプレナー型ＭＯＳトランジスタは微細化により機能の向上と低コストを実現してきたが、三次元構造のSGTにすることによりさらにチップサイズを小さくするだけでなく、低消費電力、高速、低コスト、何より10倍以上の高速・高集積化が可能となる。その性能をプレナー型ＭＯＳトランジスタと比較した場合、プレナー型ではマイクロプロセッサの動作速度である最速のクロック周波数が2GHz程度だが、ＳＧＴではこれが1桁上がり20GHzにすることにができるのでパフォーマンスを向上させることができる。目標値は50GHzのクロック周波数である。
日本ユニサンティスエレクトロニクス社ではこれらを実現するために、半導体デバイスの計算機シミュレーションでSGTの高速・高集積化が可能となる基本構造を決定し、その基本構造を元に、SGT単体から集積回路までの製造試作、評価を行い、有力特許を獲得する。
ＭＯＳトランジスタとSGTとの比較
